氮化镓

中文名称:

氮化镓

中文同义词:

氮化镓, 99.99% (METALS BASIS);一氮化镓;氮化镓(III), 99.99% (METALS BASIS);氮化镓;氮化镓(III);氮化镓GAN,微黄色或灰色粉末;纳米氮化镓

英文名称:

GALLIUM NITRIDE

英文同义词:

azanylidynegallane;galliummononitride;galliumnitride(gan);Gallium(III) nitride, 99.99+% metals basis;GALLIUM NITRIDE POWDER;99.99%(metalsbasis);Gallium Nitride, -100 Mesh;Germanium selenide, 99.99% (metals basis)

CAS号:

25617-97-4

分子式:

GaN

分子量:

83.73

EINECS号:

247-129-0

相关类别:

金属和陶瓷科学;陶瓷;科研产品或者金属材料;氮化物粉体-氮化镓;semi-conductor material;Ceramics;Metal and Ceramic Science;Nitrides

Mol文件:

25617-97-4.mol

熔点 

800 °C (lit.)

沸点 

decomposes at >600℃ [KIR78]

密度 

6.1

折射率 

2.70 (27℃)

形态

Powder

颜色

Yellow

水溶解性 

Slightly soluble in hot concentrated sulfuric acid and hot conc. sodium hydroxide. Insoluble in water and dilute acids.

敏感性 

Moisture Sensitive

晶体结构

Hexagonal, Wurtzite (Zincite) Structure - Space Group P 63mc

Merck 

14,4351

稳定性

Stability Store under dry argon. Water and moisture sensitive. Incompatible with strong oxidizing agents.

InChIKey

JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N

CAS 数据库

25617-97-4(CAS DataBase Reference)

EPA化学物质信息

Gallium nitride (GaN) (25617-97-4)

第三代半导体材料

第三代半导体材料以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、金刚石为代表，是5G时代的主要材料，其中氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的市场和发展空间最大。 氮化镓作为第三代半导体材料，有更高的禁带宽度，是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系，下游应用包括微波射频器件(通信基站等)，电力电子器件(电源等)，光电器件(LED照明等)。不过，第三代半导体材料中，受技术与工艺水平限制，氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战，其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或碳化硅晶片为衬底，通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件。 实际上，氮化镓（GaN）技术并不是一种新的半导体技术，自1990年起就已经常被用在发光二极管中，但成本昂贵。从制造工艺上来说，氮化镓没有液态，不能使用单晶硅生产工艺的传统直拉法拉出单晶，需要纯靠气体反应合成，而氮气性质非常稳定，镓又是非常稀有的金属（镓是伴生矿，没有形成集中的镓矿，主要从铝土矿中提炼，成本比较高），而且两者反应时间长，速度慢，反应产生的副产物多。生产氮化镓对设备要求又苛刻，技术复杂，产能极低，众多因素叠加影响导致氮化镓单晶材料很贵。

类别

有毒物品

毒性分级

低毒

急性毒性

口服-小鼠LDL0: 10000 毫克/公斤; 腹腔-小鼠LDL0: 5000 毫克/公斤

储运特性

库房通风低温干燥

灭火剂

干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水

安全说明 

22-24/25

WGK Germany 

3

RTECS号

LW9640000

F 

10-21

TSCA 

Yes