一氧化硅

中文名称:

一氧化硅

中文同义词:

一氧化硅(>99%,BR);氧化硅(II);一氧化硅, OPTICAL GRADE (METALS BASIS);一氧化硅(II), 光学纯, 99.7% (METALS BASIS);氧化亚硅(II)溅射靶, 50.8MM (2.0IN) 直径 X 6.35MM (0.250IN) 厚, 99.9% (METALS BASIS);一氧化硅(II), 99.99% (METALS BASIS);一氧化硅(II), 光学级, 99.8% (METALS BASIS);一氧化硅(II),光学纯, 99.8% (METALS BASIS)

英文名称:

Silicon monoxide

英文同义词:

Monox;oxo-silylen;Silylene, oxo-;SiO;silicon monooxide coating quality balzers;silicon monoxide coating quality balzers;SiliconIIoxidegranularmeshbrownpowder;SiliconIIoxidemeshbrownpowder

CAS号:

10097-28-6

分子式:

OSi

分子量:

44.09

EINECS号:

233-232-8

相关类别:

催化和无机化学;类金属;硅;生化试剂-其他化学试剂;Cn硅化合物及硅酸盐;无机化工产品;镀膜材料;无机化工;无机氧化物;Metal and Ceramic Science;Oxides;硅烷试剂;无机盐;metal oxide;合成中间体;生化试剂;化工原料;常规氧化物粉体-一氧化硅;Inorganic Chemicals

Mol文件:

10097-28-6.mol

熔点 

1870 °C

沸点 

1880°C

密度 

2.13 g/mL at 25 °C (lit.)

折射率 

1.9800

闪点 

1880°C

形态

powder

颜色

Black

比重

2.13

水溶解性 

Insoluble in water.

水解敏感性

1: no significant reaction with aqueous systems

Merck 

14,8496

稳定性

Stable.

CAS 数据库

10097-28-6(CAS DataBase Reference)

NIST化学物质信息

Silicon monoxide(10097-28-6)

EPA化学物质信息

Silylene, oxo- (10097-28-6)

概述

一氧化硅，白色立方系晶体或棕色粉末，不溶于水，溶于稀氢氟酸与硝酸混合液，与沸苛性碱溶液作用生成硅酸盐和氢气，能被卤素氧化，在空气中表面易氧化生成二氧化硅保护膜而变得无活性，高温下有强还原性，能将水蒸气、二氧化碳、石灰石等物质还原；工业上常由二氧化硅与单质硅粉在高真空1400℃以上反应后升华制得；常用于制备光学玻璃和半导体材料。

理化性质

白色立方系晶体或棕色粉末。熔点高于1702℃，沸点1880℃，相对密度2.13。硬度与硅相似。红热时也不导电。溶于稀的氢氟酸和硝酸的混合液，亦溶于浓碱溶液，并放出氢生成硅酸盐。不溶于水。在空气中表面易氧化生成二氧化硅保护膜而变得无活性。在高温下有强还原性，能将水蒸气、二氧化碳、石灰石等还原。 300～400℃时与卤素反应。只有在高于1500℃时才能稳定存在。低于1500℃时按下式反应分解。 2SiO=Si+SiO2

制备方法

1.由二氧化硅与单质硅粉在高真空1400℃以上反应后升华而得。 SiO2+Si=2SiO 图1为一氧化硅合成工艺流程图 2.由碳和过量的二氧化硅加热到2000℃左右后升华而得。 SiO2+C=SiO+CO 3.在高温下用氢气还原二氧化硅，再经真空升华而制得。 H2+SiO2=SiO+H2O

用途

用于制光学玻璃和半导体材料。 有关一氧化硅的概述、理化性质、制备方法、用途是由Chemicalbook的丁红编辑整理（2015-11-16）

化学性质 

白色立方体或黄土色无定形粉末，在空气中热处理时，黄土色粉末变成白色粉末。熔点大于1702℃。沸点1880℃。相对密度2.13。不溶于水，溶于稀氢氟酸与硝酸的混酸中。

用途 

一氧化硅微粉末因极富有活性，可作为精细陶瓷合成原料，如氮化硅、碳化硅精细陶瓷粉末原料。

用途 

用作光学玻璃和半导体材料的制备

用途 

作为精细陶瓷原料具有重要价值。也可在真空中将其蒸发，涂在光学仪器用的金属反射镜上作保护膜。还可用于制造半导体材料。也用于光学玻璃。

生产方法 

将SiO2含量为99.5%的二氧化硅粉末和煤沥青粉末混合，C/SiO2混合摩尔比为2.0，混合物经减压加热处理，其温度为1600℃，压力为1.013 kPa，经还原反应生成SiO蒸气，通入氩气，将SiO蒸气凝结输送，制成0.1 μm以下的一氧化硅粉末。 SiO2+C→SiO+CO

危险品标志 

Xi

危险类别码 

36/37/38

安全说明 

26-36

WGK Germany 

3

TSCA 

Yes