英文同义词:
trigermanium tetranitride;GERMANIUM NITRIDE, 99.99+%;germanium(iii) nitride;GERMANIUM NITRIDE;GERMANIUM TETRANITRIDE;Germanium(III) nitride >=99.99% trace metals basis;PubChem ID: 16684757;GERMANIUM NITRIDE ISO 9001:2015 REACH
相关类别:
金属有机物;Nitrides;Ceramics;Metal and Ceramic Science
密度
5.35 g/mL at 25 °C(lit.)
水溶解性
insoluble H2O; does not react with most mineral acids, aqua regia or caustic solutions [KIR78] [CRC10]
EPA化学物质信息
Germanium nitride (Ge3N4) (12065-36-0)
背景
ⅢA和ⅣA族元素的氮化物由于具有优异的力学性质和热力学性能,通常可以作为高温结构材料、催化剂、发光二极管和难熔陶瓷来使用。目前的实验和理论研究都主要集中在BN和Si3N4材料上,关于氮化锗(Ge3N4)的研究相对较少。实际上,因为Ge原子比Si原子的载流子迁移率高,所以用锗制造的半导体场效应管具备更加优异的性能。锗原子的半径较大,因此Ge3N4发生相变的临界压强要低于Si3N4的相变压。氮化锗还具有耐腐蚀、硬度高、带隙可调节等优点,因此具有很大的应用前景。
物化性质
不溶于水,与大多数无机酸、腐蚀性溶液不反应。700℃可被氢气还原;850℃与氧气反应;600~700℃与氯气反应;900~1000℃分解。
多形性研究
采用量子化学从头算方法,对Ge3N4的四方、单斜和正交结构同质异相体的微结构、态密度和声子谱进行了研究。形成焓为负值、弹性常数满足Born稳定性准则和声子谱无虚频等结果证实在020GPa范围内3种相都能保持结构稳定。温度变化影响到晶胞体积,从而使体模量发生改变。3种Ge3N4都属于半导体,Ge原子和N原子之间存在明显的s-p杂化现象。当压强增大时诱发了离域电子,从而使体系的带隙减小。
合成方法
1.将Ge粉在液氨中加热到650~700℃即生成氮化锗浅褐色粉末。
2.GeCl4和H2O直接生成GeO2,GeO2在液氨中直接生成了Ge(NH)2,该化合物不稳定,150℃转化成Ge2N3H,Ge2N3H在350℃又转化成Ge3N4。
生产方法
1.将Ge粉在液氨中加热到650~700℃即生成氮化锗浅褐色粉末。
2.GeCl4和H2O直接生成GeO2,GeO2在液氨中直接生成了Ge(NH)2,该化合物不稳定,150℃转化成Ge2N3H,Ge2N3H在350℃又转化成Ge3N4。