硒化锗
时间:2026-07-16 08:41 作者:system 点击:次
化学性质
安全信息
用途与合成方法概述硒化锗一种正交晶系离子性晶体,具有稳定的半导体性能。硒化锗可由GeCl2与H2Se反应可制得。纯净的GeSe是由Ge粉末与Se粉末按合适比例熔合得到的。![]() 图:硒化锗 分类根据晶型结构分类,可分为:α-GeSe β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe硒化锗五种单层晶型,它们均表现出稳定的半导体特性。不同的是β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe晶型结构是间接带隙半导体材料,而α-GeSe是直接带隙半导体. β-GeSe单层材料适用于光催化分解水。参考文献[1] http://www.chazidian.com/baike/477878/[2] 张胜利, 刘尚果, 黄世萍,等. 单层硒化锗多形体的结构特性和电子性质[J]. Science China Materials, 2015(12). 生产方法由GeCl2与H2Se反应可制得GeSe。纯净的GeSe是由Ge粉末与Se粉末按合适比例熔合得到的。 |

