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硒化锗

硒化锗 结构式

化学性质

熔点670 °C(lit.)
密度5.6 g/mL at 25 °C(lit.)
形态灰色斜方晶体或棕色粉末
颜色gray orthorhombic crystals, crystalline or brown powder
EPA化学物质信息Germanium selenide (GeSe) (12065-10-0)

安全信息

危险品标志T,N
危险类别码23/24/25-33-36/37/38-50/53-23/25
安全说明26-28-36/37/39-45-61-60-20/21
危险品运输编号UN 3283 6.1/PG 3
WGK Germany3
TSCATSCA listed

用途与合成方法

概述

硒化锗一种正交晶系离子性晶体,具有稳定的半导体性能。硒化锗可由GeCl2与H2Se反应可制得。纯净的GeSe是由Ge粉末与Se粉末按合适比例熔合得到的。
硒化锗
图:硒化锗

分类

根据晶型结构分类,可分为:α-GeSe β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe硒化锗五种单层晶型,它们均表现出稳定的半导体特性。不同的是β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe晶型结构是间接带隙半导体材料,而α-GeSe是直接带隙半导体. β-GeSe单层材料适用于光催化分解水。

参考文献

[1]  http://www.chazidian.com/baike/477878/
[2] 张胜利, 刘尚果, 黄世萍,等. 单层硒化锗多形体的结构特性和电子性质[J]. Science China Materials, 2015(12).

生产方法

由GeCl2与H2Se反应可制得GeSe。纯净的GeSe是由Ge粉末与Se粉末按合适比例熔合得到的。

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