磷化铟
时间:2026-07-16 08:36 作者:system 点击:次
化学性质
安全信息
用途与合成方法化学性质磷化铟具有沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75 Mpa。极微溶于无机酸。介电常数：10.8。电子迁移率：约4600 cm2/Vs。空穴迁移率：约150 cm2/Vs。具有半导体的特性。 磷化铟是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一，是继硅（Si）、砷化镓（GaAs）之后的新一代微电子、光电子功能材料，其因电子迁移率高、禁带宽度大等特点，被广泛应用于微波及光电器件领域。 用途用作半导体材料，用于光纤通讯技术，需要1.1～1.6μm范围内的光源和接受器。在 InP衬底上生长In-GaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配，又能满足波长范围的要求。生产方法用高压单晶炉制备磷化铟单晶是最主要的方法，并用掺等电子杂质的方法降低晶体的位错密度。而气相外延，多采用In-PCl3-H2系统的歧化法，在该工艺中用铟(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之间的反应来生长磷化铟层。气相外延将石英反应管放在双温区电炉中，已净化的高纯氢气经计量通入，氢气也用来稀释三氯化磷，此时彭泡器保持在0℃，通过反应管内的氢气线速度为14 cm/min。外延生长分为诱个阶段进行。 在第一阶段，将盛有铟的石英舟放在电炉中源区，通入氢气并加热到700～850℃，再用氢气将三氯化磷引入，在铟源上方被还原成磷蒸气和氯化氢。镉化氢与铟反应生成一氯化铟蒸气在管中迁移。磷溶解在铟中直至饱和为止。 在第二阶段，铟源保持在原位置不加热，单晶衬底放在电炉的第二加温区后，在氢气氛下加热到600～750℃。首先用氢气将三氯化磷引入到管内对衬底进行气相腐蚀，清洗衬底表面。再将氢气直接引入反应管，并把源加热到它的过饱和温度(在操作中此温度比衬底晶体的温度高100℃)。然后通过氢气鼓泡将三氯化磷引入，这时磷蒸气与在源区生成的一氯化铟反应，在衬底上淀积生长出磷化铟层。当外延生长完成后，向系统中通入纯氢气，将两个温区冷却到室温，取出产物，制得磷化铟成品。 类别有毒物品可燃性危险特性高热产生有毒磷氧化物烟雾储运特性库房通风低温干燥灭火剂干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水职业标准TWA 0.1 毫克 (铟)/立方米 |
