化学性质
| 熔点 | 824°C |
| 密度 | 5.440 |
| 形态 | 单斜晶体 |
| 颜色 | 单斜晶体、结晶 |
| 水溶解性 | Insoluble in water. |
| 敏感性 | Moisture Sensitive |
| 暴露限值 | ACGIH: TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: IDLH 25 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3 |
| EPA化学物质信息 | Gallium telluride (GaTe) (12024-14-5) |
安全信息
用途与合成方法简介碲化镓（GaTe）中阳离子空位对晶体管性能的影响机制，并且通过抑制这种作用，获得了一种高性能的光电晶体管器件。GaTe是一个重要的III-VI族半导体层状化合物材料，直接带隙约1.7eV，在光电子器件、辐射探测器及太阳能电池领域极具应用研究价值。然而由于其复杂的单斜晶体结构及晶体的高度各向异性，使其在样品制备及器件加工方面存在一定的困难，目前少有关于GaTe纳米片的光电性能研究。制备一种二维碲化镓材料的制备方
法，其特点是采用以下步骤：步骤一、采用垂直布里奇曼晶体生长法，将Ga:Te按物质的量比1:1进行配料，制备GaTe单晶体。步骤二、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内，选取大块表面光
滑无褶皱的GaTe体材料，并沿自然解理面将其分离为多块。步骤三、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内，使用思高胶带从表层光亮、损伤较小的GaTe块体材料表面撕离一块厚度约为6-8μm的GaTe薄片。步骤四、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内，将带有GaTe薄片的思高胶带多次粘合分离，直至胶带表面不再光亮，成功附着较为密集的数百纳米厚度的GaTe片层。 |
