化学性质
| 熔点 | ~1900° |
| 密度 | 6,88 g/cm3 |
| 折射率 | 2.92 |
| 形态 | 六方晶体 |
| 颜色 | 棕色六方正己烷晶体，结晶 |
| 晶体结构 | Hexagonal, Wurtzite (Zincite) Structure - Space Group P 63mc |
| InChI | 1S/In.N |
| InChIKey | NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N |
| SMILES | N#[In] |
| EPA化学物质信息 | Indium nitride (InN) (25617-98-5) |
安全信息
| WGK Germany | 3 |
| TSCA | TSCA listed |
| 存储类别 | 13 - 不可燃性固体 |
用途与合成方法应用氮化铟(InN)发展成为新型的半导体功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半导体材料中，氮化铟具有良好的稳态和瞬态电学传输特性，它有最大的电子迁移率、最大的峰值速率、最大的饱和电子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的带隙、最小的电子有效质量等优异的性质，这些使得氮化铟相对于氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)等其它Ⅲ族氮化物更适合用于制备高频器件，在高频率、高速率晶体管的应用开发方面具有非常独特的优势，尤其在在制备太赫兹器件，化学传感器、半导体发光二极管、全光谱太阳能电池等光电器件领域具有巨大的应用价值。制备步骤S1、提供一衬底，在所述衬底上沉积一层介电薄膜；
步骤S2、对所述介电薄膜进行图案化，得到均匀排列的多个介电凸台；
步骤S3、提供一反应室，将所述形成有介电凸台的衬底放入反应室中并将所述反应室抽真空；
步骤S4、在所述介电凸台及衬底上生长缓冲层，在介电凸台的阻挡下，所述缓冲层的横向生长与纵向生长产生差异，使得所述缓冲层在每一个介电凸台的上方对应形成一个凹槽；
步骤S5、在所述缓冲层上生长氮化铟，得到分别位于所述多个凹槽中的多个氮化铟柱，每一个凹槽中对应形成一个氮化铟柱。 |
