硒化铟_原料药|化学试剂|武汉灵灵九生物科技有限公司

硒化铟

时间:2026-07-16 08:26 作者:system 点击:次

硒化铟结构式

化学性质

熔点	890°C
密度	5.67 g/mL at 25 °C(lit.)
形态	块状
颜色	银灰
水溶解性	Insoluble in water.
暴露限值	ACGIH: TWA 0.1 mg/m3; TWA 0.2 mg/m3 NIOSH: IDLH 1 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3; TWA 0.2 mg/m3
InChI	1S/2In.3Se
InChIKey	VSXOUQNLLPQTQK-UHFFFAOYSA-N
SMILES	[Se]=[In][Se][In]=[Se]
CAS 数据库	12056-07-4(CAS DataBase Reference)
EPA化学物质信息	Indium selenide (In2Se3) (12056-07-4)

安全信息

危险品标志	T,N
危险类别码	23/25-33-50/53
安全说明	20/21-28-45-60-61
危险品运输编号	UN 3283 6.1/PG 3
WGK Germany	3
TSCA	TSCA listed
危险等级	6.1
包装类别	III
海关编码	2842901090
存储类别	6.1C - 可燃，急性毒性类别3 毒性化合物或者引起慢性影响的化合物
危险性类别	急性毒性类别3 吸入急性毒性类别3经口危害水生环境-急性危害类别1 危害水生环境-长期危害类别1 特异性靶器官毒性-反复接触类别2

用途与合成方法

理化性质

硒化铟是一种无机化合物，化学式为In2Se3。其为黑色晶体或暗黑色鳞片状物质，是典型的二维层状半导体材料。通过In-Se熔融体的X射线衍射研究指出有五种二元化合物，In4Se3、InSe、In6Se7、In3Se4、In2Se3。其中研究最多的是InSe和In2Se3。In2Se3主要包括α、β、γ、δ和κ五种晶体结构。

应用

铟硒化物又叫硒化铟。硒化铟是典型的二维层状半导体材料，带隙范围为1.24-1.54eV，具体的带隙范围取决于层数。硒化铟薄膜具有优异的电子和光电特性。对于硒化铟物理性质的研究已经付出了相当大的努力。已有报道已经证明，暴露于环境条件下的二维材料器件由于界面引起的额外的散射而显著的降低了载流子迁移率。

作用

高k电介质可以有效的屏蔽二维场效应晶体管的库伦杂质散射(CI)。多层硒化铟晶体管显示出高场效应迁移率，AlO电介质可以降低库伦散射。硒化铟场效应晶体管的电学稳定性在实际应用中起着至关重要的作用，而电学稳定性体现在传输特性的滞后作用中。