化学性质
| 熔点 | >1350°C |
| 沸点 | 69.00°C |
| 密度 | 5.81 g/mL at 25 °C(lit.) |
| 折射率 | 2.87 (900 nm) |
| 储存条件 | 2-8°C |
| 溶解度 | 不溶于水 |
| 形态 | 颗粒状 |
| 颜色 | 棕红色至黑色 |
| 比重 | 5.81 |
| 水溶解性 | Insoluble in water. |
| 敏感性 | air sensitive, store cold |
| 晶体结构 | Hexagonal, Wurtzite (Zincite) Structure - Space Group P 63mc |
| Merck | 14,1626 |
| 暴露限值 | ACGIH: TWA 0.01 mg/m3; TWA 0.002 mg/m3; TWA 0.2 mg/m3
NIOSH: IDLH 9 mg/m3; IDLH 1 mg/m3; TWA 0.2 mg/m3 |
| 稳定性 | 冷藏 |
| InChI | 1S/Cd.Se |
| InChIKey | AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N |
| SMILES | [Se]=[Cd] |
| Knoop Microhardness | 1300, N/mm2 |
| CAS 数据库 | 1306-24-7(CAS DataBase Reference) |
| EPA化学物质信息 | Cadmium selenide (CdSe) (1306-24-7) |
安全信息
用途与合成方法半导体量子点硒化镉晶体可以固体六方或立方结构存在。CdSe 表现为 n 型半导体，带隙为 1.74 eV（300K）。半导体量子点(quantum dots, QDs)，是近年来研究得越来越多的一类无机半导体纳米材料。研究比较多的半导体量子点为基于II-VI族（如CdSe,ZnS）、III-V族（如GaAs,InP）及IV-VI族（如PbS,PbSe）三个系列的零维纳米晶材料。当半导体晶体颗粒的直径比该半导体体相材料的激子波尔半径小或相当时，其电子能级由准连续变为分立，晶体颗粒处于量子受限状态，量子点的带隙随晶粒尺寸变化，即量子尺寸效应。随着粒子尺寸的减小，半导体量子点的有效带隙增加，其相应的吸收光谱和荧光光谱发生蓝移。
在三相体系中可以核壳型CdSe/CdS量子点。在三相体系中,油酸和乙醇的混和物组成液相(L)、油酸钠为固相(S)、Cd2+溶液和乙醇组成溶液相(S)，量子点在两相的界面形成。所制备的量子点粒径分布均匀、形貌规则，为立方型晶体。在核表面包覆上宽带隙的半导体，其光量子产率会得到的提，核的表面缺陷也会。
CdSe硒化镉核壳量子点可水相法CdTe、CdSe以及CdTe-CdSe核壳量子点，运用在量子点敏化太阳电池中。制备AgInSe2-CdSe核壳量子点、牛血清蛋白，起到与其共轭的作用。化学性质硒化镉(CdSe) 是一种灰棕色或红色结晶体，不溶于水，有剧毒，熔点1350℃。由金属镉与硒化氢共热可制得硒化镉，用于电子发射器和光谱分析、光导体、半导体、光敏元件等。
| 名称 |
硒化镉单晶 |
| 生长方向 |
(0001) |
| 生长方法 |
Seeded Vapor-Phase Free Growth |
| 晶体结构 |
六方 |
| 晶格常数Å |
a = 4.2985
c = 7.015 |
| 熔点(℃) |
1240 |
| 密度(g/cm3) |
5.81 |
| 硬度(Mohs) |
3.25 |
| 热导率(W/mK) |
||c=6.9, ⊥c=6.2 |
| 磁序 |
铁磁 |
| 居里温度(K) |
776 |
| 禁带宽度(eV) |
1.74 |
| 折射率 |
2.42 |
| 透光范围(nm) |
750-24500 |
| 介电常数 |
10.2 |
| 颜色及外观 |
黑色透明晶体 |
| 常规尺寸 |
10*10mm，最大40mm |
| 常规晶向 |
(0001), (11-20), (1-100) |
| 抛光 |
双面抛光 |
|
