中文名称:

锑化铟

中文同义词:

锑化铟, 99.999% (METALS BASIS);锑化铟, ELECTRONIC GRADE, 99.99% (METALS BASIS);锑化铟晶片;锑化铟;锑化铟, 电子级, 99.99% (METALS BASIS);锑化铟单晶;锑化铟INSB

英文名称:

Indium(III) antimonide

英文同义词:

INDIUM ANTIMONIDE;indiumcompd.withantimony(1:1);Indium antimonide (99.99%-In) PURATREM;Indiumantimonideblackxtl;indium stibide;INDIUM ANTIMONIDE, 99.99+%;Indium antimonide, 99.5%;INDIUM ANTIMONIDE, 99.999%

CAS号:

1312-41-0

分子式:

InSb

分子量:

236.58

EINECS号:

215-192-3

相关类别:

金属和陶瓷科学;高纯半导体材料;Inorganics;Alloys;Materials Science;Metal and Ceramic Science;inorganic compound;Ceramic Science;Indium;Materials Science;Metal ;Metal and Ceramic Science;Metals;New Products for Materials Research and Engineering

Mol文件:

1312-41-0.mol

熔点 

535°C

密度 

5,76 g/cm3

形态

crystal

颜色

black

比重

5.76

水溶解性 

Insoluble in water.

晶体结构

Cubic, Sphalerite Structure - Space Group F(-4)3m

Merck 

14,4948

CAS 数据库

1312-41-0(CAS DataBase Reference)

EPA化学物质信息

Antimony, compd. with indium (1:1) (1312-41-0)

概述

锑化铟(InSb)是研究得较早、较深入的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料。其晶体呈银色、质脆，为闪锌矿结构.晶格常数为6.48Å，是一种直接带隙材料，其禁带宽度较窄，为0.18eV，而电子迁移率高达7800cm2/V·s，可用来制作红外探测器，光磁探测器和Hall器件。

应用

InSb单晶电子迁移率高，是良好的红外探测器件、霍耳器件、磁阻器件的衬底材料。例如，对应于大气透射窗口3～5μm波段的成像器件和InSb焦平面阵列器件。

类别

有毒物品

毒性分级

中毒

急性毒性

腹腔-小鼠LD50:3700 毫克/公斤

储运特性

库房通风低温干燥

灭火剂

干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水

职业标准

TWA 0.1 毫克(铟)/立方米

危险品标志 

Xn,N

危险类别码 

20/22-51/53

安全说明 

61

危险品运输编号 

UN 1549 6.1/PG 3

WGK Germany 

2

RTECS号

NL1105000

TSCA 

Yes

HazardClass 

6.1

PackingGroup 

III