中文名称:

二氟化氙

中文同义词:

二氟化氙

英文名称:

XENON DIFLUORIDE

英文同义词:

XENON(II)FLUORIDE;XENON DIFLUORIDE;XeF4;Xenon fluoride (XeF4);Xenon fluoride (XeF4), (T-4)-;xenon tetrafluoride;XENON DIFLUORIDE, ELECTRONIC GRADE;Tetrafluoroxenon

CAS号:

13709-61-0

分子式:

F2Xe

分子量:

169.29

EINECS号:

237-260-1

相关类别:

半导体制程材料

Mol文件:

13709-61-0.mol

熔点 

129 °C(lit.)

沸点 

115.73°C (estimate)

密度 

4.32 g/mL at 25 °C(lit.)

蒸气压

3.8 mm Hg ( 25 °C)

形态

colorless monoclinic crystals

水溶解性 

reacts violently with H2O, forming Xe, O2, HF, and XeO3 [DOU83]

概述

无色透明四方晶体。相对密度4.32(25/4℃)，熔点129℃，固体蒸气压为4.6×133.322Pa(25℃)。蒸气也是无色的，有恶臭。易溶于无水氟化氢、氟化亚硝酰•三(氟化氢)和五氟化碘，但不发生电离。能被氢还原生成氙和氟化氢。与氟反应生成四氟化氙或六氟化氙。遇水则水解，过程很复杂。在日光直射下，氙与氟反应而制得。

用途

制备一种二氟化氙气相刻蚀阻挡层，包括如下步骤：(1)将二氟化氙气体喷洒到裸露的阻挡层的表面；(2)采用光束仅照射电介质层上表面的阻挡层，使电介质层上表面的阻挡层的刻蚀速率高于沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层的刻蚀速率。本发明通过向电介质层上表面的阻挡层照射光束，提高了电介质层上表面的阻挡层的刻蚀速率，使电介质层上表面的阻挡层的刻蚀速率高于沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层的刻蚀速率，避免沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层过度刻蚀，提高了微观上的刻蚀均匀性，达到了更好的工艺效果。

危险品标志 

O,T+

危险类别码 

8-25-26-34

安全说明 

17-26-28-36/37/39-45

危险品运输编号 

UN 3087 5.1/PG 2

WGK Germany 

3

RTECS号

ZE1294166

F 

1-10

HazardClass 

5.1

PackingGroup 

I