化学性质
| 熔点 | 800 °C (lit.) |
| 沸点 | decomposes at >600℃ [KIR78] |
| 密度 | 6.1 |
| 折射率 | 2.70 (27℃) |
| 形态 | 粉末 |
| 颜色 | 粘黄色 |
| 水溶解性 | Slightly soluble in hot concentrated sulfuric acid and hot conc. sodium hydroxide. Insoluble in water and dilute acids. |
| 敏感性 | Moisture Sensitive |
| 晶体结构 | Hexagonal, Wurtzite (Zincite) Structure - Space Group P 63mc |
| Merck | 14,4351 |
| 稳定性 | 在干燥氩气下储存。对水和湿气敏感。与强氧化剂不相容。 |
| InChI | InChI=1S/Ga.N |
| InChIKey | JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N |
| SMILES | N#[Ga] |
| CAS 数据库 | 25617-97-4(CAS DataBase Reference) |
| EPA化学物质信息 | Gallium nitride (GaN) (25617-97-4) |
安全信息
| 安全说明 | 22-24/25 |
| WGK Germany | 3 |
| RTECS号 | LW9640000 |
| F | 10-21 |
| TSCA | TSCA listed |
| 存储类别 | 11 - 可燃固体 |
| 危险性类别 | 皮肤致敏物 类别1 |
| 毒性 | mouse,LDLo,intraperitoneal,5gm/kg (5000mg/kg),Gigiena Truda i Professional'nye Zabolevaniya. Labor Hygiene and Occupational Diseases. Vol. 9(6), Pg. 45, 1965. |
用途与合成方法第三代半导体材料第三代半导体材料以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、金刚石为代表，是5G时代的主要材料，其中氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的市场和发展空间最大。
氮化镓作为第三代半导体材料，有更高的禁带宽度，是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系，下游应用包括微波射频器件(通信基站等)，电力电子器件(电源等)，光电器件(LED照明等)。不过，第三代半导体材料中，受技术与工艺水平限制，氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战，其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或碳化硅晶片为衬底，通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件。
实际上，氮化镓（GaN）技术并不是一种新的半导体技术，自1990年起就已经常被用在发光二极管中，但成本昂贵。从制造工艺上来说，氮化镓没有液态，不能使用单晶硅生产工艺的传统直拉法拉出单晶，需要纯靠气体反应合成，而氮气性质非常稳定，镓又是非常稀有的金属（镓是伴生矿，没有形成集中的镓矿，主要从铝土矿中提炼，成本比较高），而且两者反应时间长，速度慢，反应产生的副产物多。生产氮化镓对设备要求又苛刻，技术复杂，产能极低，众多因素叠加影响导致氮化镓单晶材料很贵。类别有毒物品毒性分级低毒急性毒性口服-小鼠LDL0: 10000 毫克/公斤; 腹腔-小鼠LDL0: 5000 毫克/公斤储运特性库房通风低温干燥灭火剂干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水 |
